וואָס פּראָבלעמס וועט סטראַקטשעראַל סילאַנץ טרעפן אין ווינטער?

1. פּאַמעלעך קיורינג

דער ערשטער פּראָבלעם אַז די פּלוצעמדיק קאַפּ אין אַמביאַנט טעמפּעראַטור ברענגט צו דיסיליקאָנע סטראַקטשעראַל סילאַנטאיז אַז עס פילז געהיילט בעשאַס די אַפּלאַקיישאַן פּראָצעס, און די סיליקאָנע סטרוקטור איז געדיכט.

דער קיורינג פּראָצעס פון סיליקאָנע סילאַנט איז אַ כעמישער רעאַקציע פּראָצעס, און די טעמפּעראַטור און הומידיטי פון די סוויווע האָבן אַ זיכער השפּעה אויף זייַן קיורינג גיכקייַט.פֿאַר איין-קאָמפּאָנענטסיליקאָנע סטראַקטשעראַל סילאַנץ, די העכער די טעמפּעראַטור און הומידיטי, די פאַסטער די קיורינג גיכקייַט וועט זיין.נאָך די ווינטער, די טעמפּעראַטור טראפנס שארף, און אין דער זעלביקער צייַט, מיט נידעריק הומידיטי, די קיורינג אָפּרוף פון די סטראַקטשעראַל סילאַנט איז אַפעקטאַד, אַזוי די קיורינג פון די סטראַקטשעראַל סילאַנט איז פּאַמעלעך.אין נאָרמאַל צושטאנדן, ווען די טעמפּעראַטור איז נידעריקער ווי 15 ℃, די דערשיינונג פון פּאַמעלעך קיורינג פון סטראַקטשעראַל סילאַנט איז מער קלאָר ווי דער טאָג.

לייזונג: אויב דער באַניצער וויל צו בויען אין אַ נידעריק טעמפּעראַטור סוויווע, עס איז רעקאַמענדיד צו דורכפירן אַ קליין-שטח סיליקאָנע סילאַנט פּראָבע איידער נוצן, און דורכפירן אַ שאָלעכץ אַדכיזשאַן פּרובירן צו באַשטעטיקן אַז די סטראַקטשעראַל סילאַנט קענען זיין געהיילט, די אַדכיזשאַן איז גוט, און דער אויסזען איז קיין פּראָבלעם.שטח געניצט.אָבער, ווען די אַמביאַנט טעמפּעראַטור איז ווי נידעריק ווי 4 ° C, די קאַנסטראַקשאַן פון סטראַקטשעראַל סילאַנט איז נישט רעקאַמענדיד.

די סילאַנט איז גלוד ניצן די טעמפּעראַטור און הומידיטי פון די סוויווע.

2. באָנדינג פּראָבלעמס

מיט די פאַרקלענערן פון טעמפּעראַטור און הומידיטי און די פּאַמעלעך קיורינג, עס איז אויך די פּראָבלעם פון באַנדינג צווישן די סטראַקטשעראַל סילאַנט און די סאַבסטרייט.די אַלגעמיינע רעקווירעמענץ פֿאַר די נוצן פוןסיליקאָנע סטראַקטשעראַל סילאַנטפּראָדוקטן זענען: אַ ריין סוויווע מיט אַ טעמפּעראַטור פון 10°C צו 40°C און אַ קאָרעוו הומידיטי פון 40% צו 80%.יקסיד די אויבן מינימום טעמפּעראַטור רעקווירעמענץ, די באַנדינג גיכקייַט איז סלאָוד אַראָפּ, און די צייט צו גאָר בונד צו די סאַבסטרייט איז פּראַלאָנגד.אין דער זעלביקער צייט, ווען די טעמפּעראַטור איז צו נידעריק, די וועטטאַביליטי פון די קלעפּיק און די ייבערפלאַך פון די סאַבסטרייט דיקריסאַז, און עס קען זיין ינדיסערניאַבאַל נעפּל אָדער פראָסט אויף די ייבערפלאַך פון די סאַבסטרייט, וואָס אַפעקץ די אַדכיזשאַן צווישן די סטראַקטשעראַל סילאַנט און די סאַבסטרייט. סאַבסטרייט.

לייזונג: ווען די מינימום קאַנסטראַקשאַן טעמפּעראַטור פון די סטראַקטשעראַל סילאַנט איז 10 °C, די סטראַקטשעראַל סילאַנט איז בונד צו די סאַבסטרייט אין די פאַקטיש סיטואַציע.אַדכיזשאַן פּרובירן זאָל זיין געטאן אין נידעריק טעמפּעראַטור קאַנסטראַקשאַן סוויווע צו באַשטעטיקן גוט אַדכיזשאַן איידער קאַנסטראַקשאַן.פאַבריק ינדזשעקשאַן פון סטראַקטשעראַל סילאַנט קענען אויך פאַרגיכערן די קיורינג פון סטראַקטשעראַל סילאַנט דורך ינקריסינג די טעמפּעראַטור און הומידיטי פון די סוויווע אין וואָס די סטראַקטשעראַל סילאַנט איז געניצט, און אין דער זעלביקער צייט עס איז נייטיק צו פאַרברייטערן די קיורינג צייט.

3. פאַרגרעסערן וויסקאָסיטי

סטראַקטשעראַל סילאַנץוועט ביסלעכווייַז טיקאַן און ווערן ווייניקער פליסיק ווי די טעמפּעראַטור דיקריסאַז.פֿאַר צוויי-קאָמפּאָנענט סטראַקטשעראַל סילאַנץ, סטראַקטשעראַל סילאַנץ ינקריסינג וויסקאָסיטי וועט פאַרגרעסערן די דרוק פון די קליי מאַשין און רעדוצירן די יקסטרוזשאַן פון די סטראַקטשעראַל סילאַנט.פֿאַר איין-קאָמפּאָנענט סטראַקטשעראַל סילאַנץ, די סטראַקטשעראַל סילאַנט טיקאַנז, די געוואקסן דרוק פון די קליי ביקס צו יקסטרוד די סטראַקטשעראַל סילאַנט קענען זיין צייט-קאַנסומינג און לאַבאָריאַס פֿאַר מאַנואַל אַפּעריישאַנז.

לייזונג: אויב עס איז קיין ווירקונג אויף די קאַנסטראַקשאַן עפעקטיווקייַט, נידעריק טעמפּעראַטור טיקנינג איז אַ נאָרמאַל דערשיינונג, און קיין פֿאַרבעסערונג מיטלען זענען פארלאנגט.

אויב די קאַנסטראַקשאַן ווירקונג, עס איז מעגלעך צו באַטראַכטן ינקריסינג די אַפּערייטינג טעמפּעראַטור פון די סטראַקטשעראַל סילאַנט אָדער אַדאַפּט עטלעכע אַגזיליערי באַהיצונג מיטלען, אַזאַ ווי סטאָרינג די סטראַקטשעראַל סילאַנט אין אַ באַהיצונג צימער אָדער אַ לופט-קאַנדישאַנד צימער אין שטייַגן, ינסטאַלירן אַ כיטער פֿאַר באַהיצונג אין די גלוינג וואַרשטאַט, און ינקריסינג די